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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
26
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
4053
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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