RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
37
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2356
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link