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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
26
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3061
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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