RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO M418039 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO M418039 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
42
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
20
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2414
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
INTENSO M418039 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link