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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3432
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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