RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3268
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link