Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 42
    Intorno -11% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.2 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.6 left arrow 14.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2423 left arrow 2148
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti