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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
42
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
21
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3427
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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