RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
42
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2201
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link