RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3112
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link