RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
42
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
23
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2825
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link