RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1511
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link