RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
42
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
18
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3564
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link