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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2466
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
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