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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2852
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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