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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
48
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
48
Velocità di lettura, GB/s
10.6
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1955
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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