RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
42
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
24
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2541
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link