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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
75
Intorno -226% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
23
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2951
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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