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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
75
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
28
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3367
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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