RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
75
Intorno -241% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
22
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
4142
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link