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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
75
Intorno -200% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
25
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3668
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
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