RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
73
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
30
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
1254
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link