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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
73
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
23
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2629
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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