RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
73
Intorno -181% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
26
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3025
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link