RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
73
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
37
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2836
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link