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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
73
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
31
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3443
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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