RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
73
Intorno -248% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
21
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2250
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link