RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
73
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
66
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
1985
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link