RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3241
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link