RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3209
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link