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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
73
Intorno -204% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
24
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2462
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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