RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
73
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
32
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2929
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link