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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
73
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
60
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2687
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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