RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3611
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link