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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
61
Intorno -144% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,903.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
25
Velocità di lettura, GB/s
4,668.9
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,903.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
735
2619
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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