RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
50
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
29
Velocità di lettura, GB/s
15.3
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
3914
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link