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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
60
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
49
Velocità di lettura, GB/s
15.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
2673
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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