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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
60
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
40
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
3015
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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