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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
60
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
41
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
3146
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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