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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
60
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
48
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
2895
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
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