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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
60
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
46
Velocità di lettura, GB/s
15.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
2660
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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