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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Confronto
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
38
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2298
2569
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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