RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
35
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.2
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
18
Velocità di lettura, GB/s
15.7
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2767
3663
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link