RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
13.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
3684
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link