RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.9
13.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
18.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
4207
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link