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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Confronto
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
15.2
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2773
2757
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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