RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Confronto
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
16000
Intorno 1.6% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
55
Intorno -129% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR5
Latenza in PassMark, ns
55
24
Velocità di lettura, GB/s
15.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
16000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2701
3578
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX5M2B5200C40 32GB Confronto tra le RAM
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link