RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Confronto
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
37
Intorno -3% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
36
Velocità di lettura, GB/s
15.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.6
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2907
2360
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link