RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
37
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
37
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
2389
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link