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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
34
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.4
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2803
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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